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支架

金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(簡稱MOCVD)是技術(shù)生長III-V族,II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法
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產(chǎn)品描述
參數(shù)

  金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)
  金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(簡稱MOCVD)是技術(shù)生長III-V族,II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。用氫氣或氮?dú)庾鳛檩d氣,通入液體中攜帶出蒸汽,與V族的氫化物(如NH3、PH3、AsH3)混合,通入反應(yīng)室,在加熱的襯底表面發(fā)生反應(yīng),外延生長化合物晶體薄膜。
  LED的發(fā)光核心是一種稱為外延片(Epitaxial Slice)的復(fù)合材料,由于Mocvd技術(shù)在外延片上的成功運(yùn)用,使得此種設(shè)備使用量迅速增加。
  由于MOCVD設(shè)備工作時工作溫度高于2000℃,鎢鉬也是該設(shè)備部分組件的首選材料。

關(guān)鍵詞:
支架
mocvd
設(shè)備
外延
沉積
技術(shù)
化合物
金屬
生長
反應(yīng)
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