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離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的技術(shù),其利用離子注入機(jī)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的摻雜
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產(chǎn)品描述
參數(shù)

  半導(dǎo)體行業(yè)離子注入機(jī)離子源鎢鉬組件。
  離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的技術(shù),其利用離子注入機(jī)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的摻雜,即使用鎢絲作為陰極發(fā)射電子轟擊含有特定的雜質(zhì)元素的氣體分子,產(chǎn)生電離的特定雜質(zhì)原子經(jīng)靜電場(chǎng)加速后打到硅單晶圓片表面,并打入半導(dǎo)體內(nèi)部,改變導(dǎo)電特性并最終形成晶體管結(jié)構(gòu)。

關(guān)鍵詞:
半導(dǎo)體
離子注入機(jī)
特定
雜質(zhì)
分子
特性
使用
一種
摻雜
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